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总投资1亿元 重庆又添一高科技研发基地

近日,由重庆笨瓜科技有限公司与韩国爱拓科技(ATO)研发团队共同投资建设的中低容量闪存(NAND Flash)研发基地在西部(重庆)科学城正式成立。

该项目计划总投资1亿元,预计2021-2022年,可实现28纳米

1GB/2GB/4GB存储芯片,首次全掩膜(Full Mask)工程流片,2023-2025年,建设测试线和封装生产线。 据了解,重庆笨瓜科技有限公司依托鑫龙科技集团研发资源和产业链优势,致力于通讯类、物联网模块产品的研发、制造、销售及服务。公司设有研发中心、生产中心(SMT组装事业部、整机组装事业部、智能穿戴),主要聚焦在智能穿戴、智能手机方案研发。

韩国爱拓科技(ATO)研发团队则是一家来自于SK Hynix、SMIC、ISSI等业内主流存储器企业或存储器代工企业,涵盖了IC设计、Layout、芯片测试等主要环节,有8位在存储器领域,从业20年以上的资深行业专家。

其SLC Nand Flash产品,在国内市场具备较高的知名度。有众多客户群体其中不乏小米、海康威视等国内知名终端及整机系统企业。

·重庆商报记者 郭欣欣

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  • 编辑:夏学礼
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